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正接时候，R1VGS电压，MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通，所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds（on）只有20mΩ实际损耗很小，3A的 不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。VZ1为稳压管防止栅源电压过高击穿mos管。P沟道MOS管防反接保护电路电路如示因为NMOS管的导通电阻比PMOS的小且价格相对更便宜，选NMOS。炸机很痛苦，尤其这样一个全新样机本就没有调试好参数的电源，本来电源就有可能存在不正常，炸了岂不是更难修理？为此很多工程师由于设备配置有限，用各种法经验来避免炸机，比如输入电压慢慢调高边调边看电流的状态，看功率计上的功率变化，一旦形势不对马上断电，这样确实可以避免一些异常情况，但有时手速不够快就炸了。下面给大家分享一个亲测有效，且成本很低的方法来防止样机 上电炸机的问题，手头有acsource等设备的工程师请忽略。另一种方法是：好设编号后，将任意一相绕组接万用表毫安（或微安）档，另选一相绕组，用该相绕组的两个引出线头分别碰触干电池的正、负极，若万用表指针正偏转，则接干电池的负极引出线头与万用表的红表棒为首（或尾）端，如所示。照此方法找出第三相绕组的首。）36V交流电和灯泡判别法接线如所示。灯泡亮为两相首尾相连，灯泡不亮为首首或尾尾相连。为避免因接触 造成误判别，当灯泡不亮时，对调引出线头的接线，在重新测试一次，以灯泡亮为准来判别绕组的首尾端。接收：REN=1后，允许接收。接收器以所选波特率的16倍速率采样RXD端电平，当检测到一个负跳变时，启动接收器，同时把1FFH写入输入移位寄存器。由于接、发双方时钟频率有少许误差，为此接收控制器把一位传送时间16等分采样RXD，以其中9三次采样中至少2次相同的值为接收值。接收位从移位寄存器右边进入，1左移出，当 左边是起始位0时，说明已接收8位数据，再作 一次移位，接收停止位。此后：若RI=0、SM2=0，则8位数据装入SBUF，停止位入RB8，置RI=1。，C2——采用一般的空气介质、容量范围为16～360微微法的单连可变电容器。在这里不用双连，因为要求调谐电路同步不易调整。Д1，Д2，T1——晶体二极管采用国产Д1B型的。选用正向电阻500欧左右、反向电阻100千欧以上的较好。测试时将万用表量程放在（R×100）或（R×1K）档测量。晶体三极管T1采用国产П6型或2G100型的。C1，C3，C5——CC3采用纸质电容器，耐压400伏。C5采用耐压3伏、10微法超小型电解电容器。